casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRTA400100(A)
codice articolo del costruttore | MSRTA400100(A) |
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Numero di parte futuro | FT-MSRTA400100(A) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRTA400100(A) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 400A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 400A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRTA400100(A) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRTA400100(A)-FT |
GSXD030A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF120A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D4
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D4
Global Power Technologies Group
GHXS030A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS030A060S-D4
Global Power Technologies Group
GHXS045A120S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS045A120S-D4
Global Power Technologies Group
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel