casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSXD030A008S1-D3
codice articolo del costruttore | GSXD030A008S1-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GSXD030A008S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSXD030A008S1-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD030A008S1-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSXD030A008S1-D3-FT |
MDD172-14N1
IXYS
MDD172-16N1
IXYS
MDD172-18N1
IXYS
MDD200-14N1
IXYS
MDD200-16N1
IXYS
MDD200-18N1
IXYS
DD340N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N22SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N18SHPSA1
Infineon Technologies
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel