casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GHXS045A120S-D3
codice articolo del costruttore | GHXS045A120S-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GHXS045A120S-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GHXS045A120S-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 45A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 45A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS045A120S-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GHXS045A120S-D3-FT |
DD340N22SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N18SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N20SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N22SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N20SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N18SHPSA1
Infineon Technologies
IDW30C65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDW10G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
IDW30C65D2XKSA1
Infineon Technologies
DDB6U85N16LHOSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel