casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GHXS015A120S-D3
codice articolo del costruttore | GHXS015A120S-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GHXS015A120S-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GHXS015A120S-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS015A120S-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GHXS015A120S-D3-FT |
MDD200-16N1
IXYS
MDD200-18N1
IXYS
DD340N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N22SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N18SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N20SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N22SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N20SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N18SHPSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel