casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRT25060(A)
codice articolo del costruttore | MSRT25060(A) |
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Numero di parte futuro | FT-MSRT25060(A) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT25060(A) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 250A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT25060(A) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRT25060(A)-FT |
GSXF100A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF060A040S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS050A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS060A120S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF120A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D4
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D4
Global Power Technologies Group
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel