casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GHXS060A120S-D3
codice articolo del costruttore | GHXS060A120S-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GHXS060A120S-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GHXS060A120S-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 60A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS060A120S-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GHXS060A120S-D3-FT |
MDD172-12N1
IXYS
MDD172-14N1
IXYS
MDD172-16N1
IXYS
MDD172-18N1
IXYS
MDD200-14N1
IXYS
MDD200-16N1
IXYS
MDD200-18N1
IXYS
DD340N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD340N22SHPSA1
Infineon Technologies
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel