casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRT150160(A)
codice articolo del costruttore | MSRT150160(A) |
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Numero di parte futuro | FT-MSRT150160(A) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT150160(A) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT150160(A) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRT150160(A)-FT |
GSXD080A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF030A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D3
Global Power Technologies Group
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel