casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSXD100A010S1-D3
codice articolo del costruttore | GSXD100A010S1-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GSXD100A010S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSXD100A010S1-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD100A010S1-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSXD100A010S1-D3-FT |
DSSS30-01AR
IXYS
DSSS35-008AR
IXYS
DSEC60-03AR
IXYS
DSSS35-01AR
IXYS
DGSK20-025A
IXYS
DSP8-12A
IXYS
DSEI2X61-06P
IXYS
DPG20C300PN
IXYS
DHH55-36N1F
IXYS
SS150TA60110
IXYS-RF
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel