casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSXF030A100S1-D3
codice articolo del costruttore | GSXF030A100S1-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GSXF030A100S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSXF030A100S1-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.35V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 85ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXF030A100S1-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSXF030A100S1-D3-FT |
DSSS35-01AR
IXYS
DGSK20-025A
IXYS
DSP8-12A
IXYS
DSEI2X61-06P
IXYS
DPG20C300PN
IXYS
DHH55-36N1F
IXYS
SS150TA60110
IXYS-RF
SS150TC60110
IXYS-RF
SS150TI60110
IXYS-RF
SS275TA12205
IXYS-RF
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel