casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSXD120A020S1-D3
codice articolo del costruttore | GSXD120A020S1-D3 |
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Numero di parte futuro | FT-GSXD120A020S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSXD120A020S1-D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD120A020S1-D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSXD120A020S1-D3-FT |
DSSS35-008AR
IXYS
DSEC60-03AR
IXYS
DSSS35-01AR
IXYS
DGSK20-025A
IXYS
DSP8-12A
IXYS
DSEI2X61-06P
IXYS
DPG20C300PN
IXYS
DHH55-36N1F
IXYS
SS150TA60110
IXYS-RF
SS150TC60110
IXYS-RF
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel