casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRT10080(A)D
codice articolo del costruttore | MSRT10080(A)D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MSRT10080(A)D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT10080(A)D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT10080(A)D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRT10080(A)D-FT |
MBRT12060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT200100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT200150
GeneSiC Semiconductor
MBRT200150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20020
GeneSiC Semiconductor
MBRT200200
GeneSiC Semiconductor
MBRT200200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20020R
GeneSiC Semiconductor
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel