casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT200150R
codice articolo del costruttore | MBRT200150R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT200150R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT200150R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT200150R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT200150R-FT |
FST12030
GeneSiC Semiconductor
FST12035
GeneSiC Semiconductor
FST12040
GeneSiC Semiconductor
FST12045
GeneSiC Semiconductor
FST12060
GeneSiC Semiconductor
FST12080
GeneSiC Semiconductor
FST160100
GeneSiC Semiconductor
FST160150
GeneSiC Semiconductor
FST16020
GeneSiC Semiconductor
FST160200
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel