casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT12080
codice articolo del costruttore | MBRT12080 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT12080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT12080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT12080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT12080-FT |
FST120100
GeneSiC Semiconductor
FST120150
GeneSiC Semiconductor
FST12020
GeneSiC Semiconductor
FST120200
GeneSiC Semiconductor
FST12030
GeneSiC Semiconductor
FST12035
GeneSiC Semiconductor
FST12040
GeneSiC Semiconductor
FST12045
GeneSiC Semiconductor
FST12060
GeneSiC Semiconductor
FST12080
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel