casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT200200
codice articolo del costruttore | MBRT200200 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT200200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT200200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT200200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT200200-FT |
FST12040
GeneSiC Semiconductor
FST12045
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FST12060
GeneSiC Semiconductor
FST12080
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FST160100
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FST160150
GeneSiC Semiconductor
FST16020
GeneSiC Semiconductor
FST160200
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FST16030
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FST16040
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A54SX32A-FTQ144
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EX64-FTQ100
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XC6SLX100-2FGG676C
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5SGSMD5K2F40C2LN
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XC7VX690T-3FFG1158E
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XC7VX485T-1FFG1930I
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XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQG100I
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LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1HG
Intel