casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT3906LT1HTSA1
codice articolo del costruttore | MMBT3906LT1HTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MMBT3906LT1HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT3906LT1HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3906LT1HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT3906LT1HTSA1-FT |
2SD1407A-Y(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD1445AQ
Panasonic Electronic Components
2SD14740P
Panasonic Electronic Components
2SD14990P
Panasonic Electronic Components
2SD1535
Panasonic Electronic Components
2SD16330P
Panasonic Electronic Components
2SD1773
Panasonic Electronic Components
2SD20000P
Panasonic Electronic Components
2SD2012
STMicroelectronics
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage