casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT3906LT1HTSA1
codice articolo del costruttore | MMBT3906LT1HTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MMBT3906LT1HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT3906LT1HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3906LT1HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT3906LT1HTSA1-FT |
2SD1407A-Y(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD1445AQ
Panasonic Electronic Components
2SD14740P
Panasonic Electronic Components
2SD14990P
Panasonic Electronic Components
2SD1535
Panasonic Electronic Components
2SD16330P
Panasonic Electronic Components
2SD1773
Panasonic Electronic Components
2SD20000P
Panasonic Electronic Components
2SD2012
STMicroelectronics
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel