casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1407A-Y(F)
codice articolo del costruttore | 2SD1407A-Y(F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SD1407A-Y(F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1407A-Y(F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 30W |
Frequenza - Transizione | 12MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220NIS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1407A-Y(F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1407A-Y(F)-FT |
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel