casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRTA50030R
codice articolo del costruttore | MBRTA50030R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRTA50030R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRTA50030R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRTA50030R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRTA50030R-FT |
MURT40005R
GeneSiC Semiconductor
MURT40010
GeneSiC Semiconductor
MURT40010R
GeneSiC Semiconductor
MURT40020
GeneSiC Semiconductor
MURT40020R
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MURT40040
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MURT40060
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MURTA200120
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MURTA200120R
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XA2S100E-6TQ144Q
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XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
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M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
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10M16SCU169A7G
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10AX027H4F35I3LG
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A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
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EP3SE80F780C2
Intel