casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT40060
codice articolo del costruttore | MURT40060 |
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Numero di parte futuro | FT-MURT40060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT40060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 400A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 240ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT40060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT40060-FT |
MBRT50020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50030
GeneSiC Semiconductor
MBRT50030R
GeneSiC Semiconductor
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MBRT50060
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A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel