casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT40060R
codice articolo del costruttore | MURT40060R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MURT40060R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT40060R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 400A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 240ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT40060R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT40060R-FT |
MBRT50030
GeneSiC Semiconductor
MBRT50030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50035
GeneSiC Semiconductor
MBRT50035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50040
GeneSiC Semiconductor
MBRT50040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50045
GeneSiC Semiconductor
MBRT50045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50060
GeneSiC Semiconductor
MBRT50060R
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel