casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA200120R
codice articolo del costruttore | MURTA200120R |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA200120R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA200120R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA200120R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA200120R-FT |
MBRT50035
GeneSiC Semiconductor
MBRT50035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50040
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MBRT50040R
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MBRT50045R
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MBRT50080R
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A40MX02-3VQ80
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LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
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XC7S50-1FGGA484C
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XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
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5SGXMB5R2F43C3N
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XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel