casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS2060CTHMNG
codice articolo del costruttore | MBRS2060CTHMNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS2060CTHMNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRS2060CTHMNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS2060CTHMNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS2060CTHMNG-FT |
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel