casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR10100CT C0G
codice articolo del costruttore | MBR10100CT C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100CT C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100CT C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10100CT C0G-FT |
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel