casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / HER1007G C0G
codice articolo del costruttore | HER1007G C0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HER1007G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER1007G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1007G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER1007G C0G-FT |
SR1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel