casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / HER1007G C0G
codice articolo del costruttore | HER1007G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER1007G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER1007G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1007G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER1007G C0G-FT |
SR1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel