casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / HER1006G C0G
codice articolo del costruttore | HER1006G C0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HER1006G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER1006G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1006G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER1006G C0G-FT |
SR16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
EX64-FTQ100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-2FGG676C
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1HG
Intel