casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB16H60HE3_A/I
codice articolo del costruttore | MBRB16H60HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB16H60HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB16H60HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB16H60HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB16H60HE3_A/I-FT |
BAT85S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY135-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel