casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV17-TR
codice articolo del costruttore | BAV17-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BAV17-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV17-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV17-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV17-TR-FT |
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
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Intel
EP1S40F780I6
Intel
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Intel