casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV18-TAP
codice articolo del costruttore | BAV18-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAV18-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV18-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV18-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV18-TAP-FT |
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
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