casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB16H45HE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB16H45HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB16H45HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB16H45HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB16H45HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB16H45HE3_A/P-FT |
BAT83S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT85S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT86S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel