casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB10H60HE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB10H60HE3_A/P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBRB10H60HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB10H60HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H60HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB10H60HE3_A/P-FT |
BAT41-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT41-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT81S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT82S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT82S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation