casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB10H100CT/31
codice articolo del costruttore | MBRB10H100CT/31 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB10H100CT/31 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB10H100CT/31 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H100CT/31 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB10H100CT/31-FT |
48CTQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EB-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPF300TL-FCG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484C7
Intel
10AX027E3F27I2LG
Intel
10M08SCU169A7G
Intel
5SGXMBBR2H43I2LN
Intel
XC7K160T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU5P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1
Intel
EP20K200CB356C7
Intel