casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYQ28EB-100HE3/45
codice articolo del costruttore | BYQ28EB-100HE3/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BYQ28EB-100HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYQ28EB-100HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EB-100HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYQ28EB-100HE3/45-FT |
VS-MBRB2080CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
AX500-FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
5SGXEA7N3F40I3N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
A40MX04-2PL44
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation