casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYQ28EB-200HE3/45
codice articolo del costruttore | BYQ28EB-200HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYQ28EB-200HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYQ28EB-200HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EB-200HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYQ28EB-200HE3/45-FT |
VS-MBRB2090CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10CX105YF780I5G
Intel
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900CES9937
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation