casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYQ28EB-100HE3/81
codice articolo del costruttore | BYQ28EB-100HE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-BYQ28EB-100HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYQ28EB-100HE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EB-100HE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYQ28EB-100HE3/81-FT |
VS-MBRB2080CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013XL-1HT144I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ208B
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F23I8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I3N
Intel
A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel