casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB1090-E3/8W
codice articolo del costruttore | MBRB1090-E3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB1090-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
MBRB1090-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1090-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB1090-E3/8W-FT |
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148-P-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N914TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT83S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW75-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel