casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT85S-TAP
codice articolo del costruttore | BAT85S-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAT85S-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT85S-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT85S-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT85S-TAP-FT |
BYM11-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41T-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel