casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N914TAP
codice articolo del costruttore | 1N914TAP |
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Numero di parte futuro | FT-1N914TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N914TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N914TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N914TAP-FT |
GL41T-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34K-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel