casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAW76-TAP
codice articolo del costruttore | BAW76-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAW76-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW76-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW76-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW76-TAP-FT |
BYM12-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41T-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel