casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB1060HE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB1060HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB1060HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB1060HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1060HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB1060HE3_A/P-FT |
BAS33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT41-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT41-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT81S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel