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codice articolo del costruttore | BAS33-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAS33-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS33-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS33-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS33-TAP-FT |
BYM07-200/32
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel