casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR400200CT
codice articolo del costruttore | MBR400200CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR400200CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR400200CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR400200CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR400200CT-FT |
MBRF60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080R
GeneSiC Semiconductor
MURF10040
GeneSiC Semiconductor
MURF10040R
GeneSiC Semiconductor
MURF10060
GeneSiC Semiconductor
MURF10060R
GeneSiC Semiconductor
MURF20040
GeneSiC Semiconductor
MURF20040R
GeneSiC Semiconductor
MURF20060
GeneSiC Semiconductor
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation