casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR400200CT
codice articolo del costruttore | MBR400200CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR400200CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR400200CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR400200CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR400200CT-FT |
MBRF60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080R
GeneSiC Semiconductor
MURF10040
GeneSiC Semiconductor
MURF10040R
GeneSiC Semiconductor
MURF10060
GeneSiC Semiconductor
MURF10060R
GeneSiC Semiconductor
MURF20040
GeneSiC Semiconductor
MURF20040R
GeneSiC Semiconductor
MURF20060
GeneSiC Semiconductor
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation