casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURF10040R
codice articolo del costruttore | MURF10040R |
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Numero di parte futuro | FT-MURF10040R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURF10040R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10040R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURF10040R-FT |
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20030
GeneSiC Semiconductor
MBRF20030R
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MBRF20035
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MBRF20035R
GeneSiC Semiconductor
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel