casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF60060R
codice articolo del costruttore | MBRF60060R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF60060R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF60060R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF60060R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF60060R-FT |
MBRF12080
GeneSiC Semiconductor
MBRF12080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel