casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF60080
codice articolo del costruttore | MBRF60080 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF60080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF60080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF60080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF60080-FT |
MBRF12080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20030
GeneSiC Semiconductor
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel