casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30030CT
codice articolo del costruttore | MBR30030CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30030CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30030CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 8mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30030CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30030CT-FT |
MBRF60035R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60040
GeneSiC Semiconductor
MBRF60040R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60045
GeneSiC Semiconductor
MBRF60045R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60060
GeneSiC Semiconductor
MBRF60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080R
GeneSiC Semiconductor
MURF10040
GeneSiC Semiconductor
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation