casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF60040R
codice articolo del costruttore | MBRF60040R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF60040R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF60040R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF60040R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF60040R-FT |
MBRF12045
GeneSiC Semiconductor
MBRF12045R
GeneSiC Semiconductor
MBRF12060
GeneSiC Semiconductor
MBRF12060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF12080
GeneSiC Semiconductor
MBRF12080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150R
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel