casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M95640-DRMN3TP/K
codice articolo del costruttore | M95640-DRMN3TP/K |
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Numero di parte futuro | FT-M95640-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95640-DRMN3TP/K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95640-DRMN3TP/K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M95640-DRMN3TP/K-FT |
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
Intel
5AGXBB3D4F35C5N
Intel