casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W400FT55N3F TR
codice articolo del costruttore | M29W400FT55N3F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W400FT55N3F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400FT55N3F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400FT55N3F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W400FT55N3F TR-FT |
M29F800FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FT5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29W008AT120N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W010B70K6E
Micron Technology Inc.
M29W010B70N1
Micron Technology Inc.
M29W010B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W010B70N6F TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel