casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F800FT55N3F2 TR
codice articolo del costruttore | M29F800FT55N3F2 TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29F800FT55N3F2 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800FT55N3F2 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800FT55N3F2 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29F800FT55N3F2 TR-FT |
M29DW256G7ANF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB5AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N3E
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29F002BB70K6E
Micron Technology Inc.
M29F002BT70K6E
Micron Technology Inc.
M29F010B45K1
STMicroelectronics
M29F010B45K6E
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel