casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W010B70K6E
codice articolo del costruttore | M29W010B70K6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29W010B70K6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W010B70K6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PLCC (11.35x13.89) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W010B70K6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W010B70K6E-FT |
M29DW323DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29F002BB70K6E
Micron Technology Inc.
M29F002BT70K6E
Micron Technology Inc.
M29F010B45K1
STMicroelectronics
M29F010B45K6E
Micron Technology Inc.
M29F010B70K6E
Micron Technology Inc.
M29F010B70K6F TR
Micron Technology Inc.
M29F010B70K6T
STMicroelectronics
M29F010B70N6E
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel