casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F800FT55N3E2

| codice articolo del costruttore | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-M29F800FT55N3E2 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| M29F800FT55N3E2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
| Tempo di accesso | 55ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M29F800FT55N3E2 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | M29F800FT55N3E2-FT |

M29DW127G70ZA6F TR
Micron Technology Inc.

M29DW256G7ANF6E
Micron Technology Inc.

M29DW256G7ANF6F TR
Micron Technology Inc.

M29DW323DB5AN6F TR
Micron Technology Inc.

M29DW323DB70N3E
Micron Technology Inc.

M29DW323DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.

M29DW323DB7AN6F TR
Micron Technology Inc.

M29F002BB70K6E
Micron Technology Inc.

M29F002BT70K6E
Micron Technology Inc.

M29F010B45K1
STMicroelectronics

M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation

AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

5SGXEA7N2F40C3N
Intel

5CGXFC4F6M11C7N
Intel

5SGXEB6R3F43C3
Intel

EP4SGX360KF43I4
Intel

XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.

LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K400EBC652-2X
Intel